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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0571766 (1995-12-13) |
우선권정보 | JP-0310152 (1994-12-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 31 인용 특허 : 3 |
Provided is a compounded power MOSFET which has a high positive and negative withstand voltages for the drain terminal relative to the source terminal, and can be formed on a single chip based on the conventional fabrication process of power MOSFETs. Power MOSFETs 10 and 11 have their drains connect
A compounded power MOSFET comprising a first MOSFET and a second MOSFET, with the drains of the MOSFETs being connected together, with the source of the first MOSFET being used for the source terminal, with the source of the second MOSFET being used for the drain terminal, and with the gate of the f
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