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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | H01L-041/22 |
미국특허분류(USC) | 156/245 ; ; 29/2535 ; 156/160 ; 310/311 |
출원번호 | US-0416598 (1995-04-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 126 인용 특허 : 1 |
A method for forming ferroelectric wafers is provided. A prestress layer is placed on the desired mold. A ferroelectric wafer is placed on top of the prestress layer. The layers are heated and then cooled, causing the ferroelectric wafer to become prestressed. The prestress layer may include reinforcing material and the ferroelectric wafer may include electrodes or electrode layers may be placed on either side of the ferroelectric layer. Wafers produced using this method have greatly improved output motion.
A method for producing ferroelectric devices, comprising: selecting a mold for the device; placing a prestress layer on the mold; placing a ferroelectric layer on the prestress layer to create layer structure; heating the prestress and ferroelectric layers; and cooling the prestress and ferroelectric layers whereby the heating and cooling steps induce a prestress into the layered structure.