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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0435028 (1995-05-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 21 인용 특허 : 0 |
The invention provides a capacitor structure utilizing porous silicon as a first plate of the capacitor structure, thereby greatly increasing the surface area available for the capacitor and thereby the capacitance attainable. The invention also provides a trench structure having a porous silicon re
A method of forming a semiconductor capacitor structure, said method comprising: forming a substrate of monocrystalline silicon, said substrate having an upper portion and a lower portion, said upper portion having a low conductivity and said lower portion having a high conductivity; anodically etch
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