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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0010572 (1993-01-28) |
우선권정보 | JP-0015913 (1992-01-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 14 인용 특허 : 3 |
In a semiconductor device including a power MOSFET (M0) for the output stage, a temperature detection circuit produces an output signal upon detecting an abnormal rise in the chip temperature, the signal turns on a set input element (M1) in a latch circuit so that the latch circuit becomes a set sta
A semiconductor device comprising: a power MOSFET; an operation state detection circuit which carries out a detecting operation of an electrical signal related to an operation state of said power MOSFET; a latch circuit which latches an output signal from the operation state detection circuit so as
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