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MOSFET having fine gate electrode structure 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-029/76
  • H01L-029/94
출원번호 US-0624198 (1996-04-03)
우선권정보 JP-0182408 (1992-07-09)
발명자 / 주소
  • Matsuoka Fumitomo (Kawasaki JPX)
출원인 / 주소
  • Kabushiki Kaisha Toshiba (Tokyo JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 25  인용 특허 : 5

초록

MOSFET having a fine gate structure comprises a semiconductor substrate of a first conductivity type, source and drain regions of a second conductivity type formed in the semiconductor substrate to define a channel region therebetween, a first insulating film provided over the source region, a secon

대표청구항

A MOS type field effect transistor (MOSFET) comprising: a semiconductor substrate of a first conductivity type; source and drain regions of a second conductivity type formed in said semiconductor substrate to provide a channel region therebetween; a first insulating film provided substantially over

이 특허에 인용된 특허 (5)

  1. Sanchez Julian J. B. (Mesa AZ), Composite inverse T-gate metal oxide semiconductor device and method of fabrication.
  2. Liu Ruichen (Warren NJ) Lynch William T. (Summit NJ) Williams David S. (Convent Station NJ), Method for fabricating semiconductor devices which include sources and drains having metal-containing material regions,.
  3. Uchida ; Yukimasa, Nonvolatile semiconductor memory.
  4. Pfiester James R. (Austin TX), Semiconductor device having an MOS transistor with overlapped and elevated source and drain.
  5. Paivinen John (Audobon Bloomfield Hills MI) Eisenhower ; Jr. Walter D. (Audobon Richardson PA) Helfrich Ernest R. (Richardson TX), Stable N-channel MOS structure.

이 특허를 인용한 특허 (25)

  1. Hashimoto, Koichi; Matsunaga, Daisuke; Aoyama, Masaaki, Dry etching with reduced damage to MOS device.
  2. Francois Hebert, High voltage MOS transistor with gate extension.
  3. Hebert, Francois, High voltage MOS transistor with gate extension.
  4. Hebert,Francois, High voltage MOS transistor with gate extension.
  5. Yamazaki, Shunpei; Ohtani, Hisashi, Method of fabricating a semiconductor device.
  6. Yamazaki, Shunpei; Ohtani, Hisashi, Method of fabricating a semiconductor device.
  7. Yamazaki, Shunpei; Ohtani, Hisashi, Method of fabricating a semiconductor device.
  8. Yamazaki, Shunpei; Ohtani, Hisashi, Method of fabricating a semiconductor device.
  9. Yamazaki, Shunpei; Ohtani, Hisashi, Method of fabricating a semiconductor device.
  10. Yamazaki, Shunpei; Ohtani, Hisashi, Method of fabricating a semiconductor device.
  11. Yamazaki, Shunpei, Method of manufacturing a semiconductor device.
  12. Yamazaki, Shunpei, Method of manufacturing a semiconductor device.
  13. Yamazaki, Shunpei, Method of manufacturing a semiconductor device.
  14. Yamazaki, Shunpei, Method of manufacturing a semiconductor device.
  15. Yamazaki, Shunpei, Method of manufacturing a semiconductor device.
  16. Yamazaki, Shunpei, Method of manufacturing a semiconductor device having a gate electrode formed over a silicon oxide insulating layer.
  17. Yamazaki, Shunpei, Method of manufacturing a semiconductor device including thermal oxidation to form an insulating film.
  18. Yamazaki, Shunpei, Method of manufacturing semiconductor device having island-like single crystal semiconductor layer.
  19. Yamazaki, Shunpei; Ohtani, Hisashi; Koyama, Jun; Fukunaga, Takeshi, Nonvolatile memory and electronic apparatus.
  20. Fukunaga, Takeshi, Process for production of SOI substrate and process for production of semiconductor device.
  21. Fukunaga, Takeshi, Process for production of SOI substrate and process for production of semiconductor device including the selective forming of porous layer.
  22. Yamazaki, Shunpei, Semiconductor device.
  23. Yamazaki, Shunpei; Ohtani, Hisashi; Koyama, Jun; Fukunaga, Takeshi, Semiconductor device having buried oxide film.
  24. Yamazaki, Shunpei; Koyama, Jun; Miyanaga, Akiharu; Fukunaga, Takeshi, Semiconductor thin film and method of manufacturing the same and semiconductor device and method of manufacturing the same.
  25. Yamazaki, Shunpei; Miyanaga, Akiharu; Koyama, Jun; Fukunaga, Takeshi, Thin film semiconductor device and its manufacturing method.
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