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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0561761 (1995-11-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 130 인용 특허 : 0 |
An improved solar cell design and method of fabrication that primarily uses two materials, n-type doped silicon and aluminum to form a p-n alloy junction back contact solar cell. The aluminum alloy junctions are placed on the back (unilluminated) side of the cell, thereby combining the desirable fea
A back-contact solar cell comprising: a semiconductor bulk layer of a first conductivity type having a front surface and a back surface; a plurality of spaced doped semiconductor regions of opposite conductivity type formed in said bulk layer near said back surface and forming a plurality of semicon
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