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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0634443 (1996-04-18) |
우선권정보 | JP-0096465 (1995-04-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 0 |
A method of producing a semiconductor device is disclosed and includes steps of temporarily connecting inner leads or lands provided on a film carrier tape and electrode pads provided on an IC chip at the same time by low-temperature gang bonding, and then bonding them by point bonding. The method e
A method of producing a semiconductor device, comprising the steps of: (a) aligning inner leads formed on a film carrier tape with electrodes formed on an IC chip and laying said inner leads on said electrodes; (b) temporarily connecting said inner leads and said electrodes by a low-temperature gang
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