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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0477941 (1995-06-07) |
우선권정보 | JP-0078997 (1993-03-12); JP-0078998 (1993-03-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 233 인용 특허 : 0 |
A thin film transistor includes a crystallized amorphous silicon film having a gate insulating film and a gate electrode formed thereon. The device includes impurities implanted in a self-aligned manner and a catalyst that accelerates the crystallization of the silicon film. The catalyst is introduc
A semiconductor device comprising: a semiconductor layer having a crystallinity formed on a substrate; a pair of impurity regions of P or N type conductivity formed in said semiconductor layer and impurity being contained in said pairs of impurity regions, wherein said semiconductor layer contains a
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