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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0334335 (1994-11-02) |
우선권정보 | JP-0301174 (1993-11-05); JP-0301176 (1993-11-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 270 인용 특허 : 0 |
A method of manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming a first insulating film on a semiconductor layer, forming a gate electrode on the insulating film, pattering the first insulating film into a second insulating film so that a portion of the semiconductor layer is exposed
A method of manufacturing a semiconductor device comprising the steps of: forming a semiconductor layer on an insulating surface; forming a first insulating film on said semiconductor layer; forming a gate electrode on said first insulating film; forming a first anodic oxide film on side surfaces of
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