과제명
NTIS 과제연계
과제기간
총연구비
- 검색어에 아래의 연산자를 사용하시면 더 정확한 검색결과를 얻을 수 있습니다.
- 검색연산자
| 검색연산자 | 기능 | 검색시 예 |
|---|---|---|
| () | 우선순위가 가장 높은 연산자 | 예1) (나노 (기계 | machine)) |
| 공백 | 두 개의 검색어(식)을 모두 포함하고 있는 문서 검색 | 예1) (나노 기계) 예2) 나노 장영실 |
| | | 두 개의 검색어(식) 중 하나 이상 포함하고 있는 문서 검색 | 예1) (줄기세포 | 면역) 예2) 줄기세포 | 장영실 |
| ! | NOT 이후에 있는 검색어가 포함된 문서는 제외 | 예1) (황금 !백금) 예2) !image |
| * | 검색어의 *란에 0개 이상의 임의의 문자가 포함된 문서 검색 | 예) semi* |
| "" | 따옴표 내의 구문과 완전히 일치하는 문서만 검색 | 예) "Transform and Quantization" |
연합인증
연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.
이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.
연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.
한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.
다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)
연합인증 절차는 다음과 같습니다.
최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용
그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용
연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.
이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.
연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.
한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.
다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)
연합인증 절차는 다음과 같습니다.
최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용
그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용
연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기
특허 상세정보
Long-wavelength PTSI infrared detectors and method of fabrication thereof
| 국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
|---|---|
| 국제특허분류(IPC7판) | H01L-031/00 H01L-021/44 |
| 미국특허분류(USC) | 437/178 ; 437/103 ; 437/106 ; 437/175 |
| 출원번호 | US-0646795 (1996-05-21) |
| 발명자 / 주소 | |
| 출원인 / 주소 | |
| 인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 0 |
초록
Extended cutoff wavelengths of PtSi Schottky infrared detectors in the long wavelength infrared (LWIR) regime have been demonstrated for the first time. This result was achieved by incorporating a 1-nm-thick p+doping spike at the PtSi/Si interface. The extended cutoff wavelengths resulted from the combined effects of an increased electric field near the silicide/Si interface due to the p+doping spike and the Schottky image force. The p+doping spikes were grown by molecular beam epitaxy at 450 degrees Celsius using elemental boron as the dopant source, wi...
대표
청구항
A method of fabricating a PtSi Schottky infrared detector comprising the steps of: a) providing a Si substrate; b) depositing less than 2 nm thick layer of p-doped Si onto said substrate; and c) depositing a layer of PtSi on said p-doped Si layer by co-evaporating Pt and Si in a 1:1 ratio while the substrate is held at a temperature of about 450 degrees C.
