최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0504165 (1995-07-19) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 3 |
Disclosed is a process for producing silicon carbide. The process includes the steps of (1) mixing ba
A process for producing silicon carbide, comprising the following steps of: (1) mixing ba2) drying the mixture and grinding the dried mixture to powder; (3) heating the powder in an atmosphere of nitrogen at a temperature in the range from 300°C. to 480°C. until a mesophase is cultured; and (4) heat
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.