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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0473792 (1995-06-07) |
우선권정보 | EP-0830397 (1993-09-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 0 |
An integrated structure active clamp for the protection of a power device against overvoltages includes a plurality of serially connected diodes, each having a first and a second electrode, obtained in a lightly doped epitaxial layer of a first conductivity type in which the power device is also obt
A process of forming a integrated circuit in a substrate of a first conductivity type, the circuit including a power device and a diode clamp circuit for protecting the power device from overvoltages, the process comprising the steps of: (A) forming an epitaxial layer of the first conductivity type
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