[특허]Modified hydrogen silsesquioxane spin-on glass

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Modified hydrogen silsesquioxane spin-on glass 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/316
출원번호	US-0390181 (1995-02-17)
발명자 / 주소	Cho Chih-Chen (Richardson TX)
출원인 / 주소	Texas Instruments Incorporated (Dallas TX 02)
인용정보	피인용 횟수 : 12 인용 특허 : 0

초록 ▼

A modified hydrogen silsesquioxane (HSQ) precursor is disclosed, along with methods for depositing such a precursor on a semiconductor substrate and a semiconductor device having a dielectric thin film deposited from such a precursor. The method comprises coating a semiconductor substrate 10, which typically comprises conductors 12, with a film of a modified HSQ film precursor. The HSQ film precursor comprises a hydrogen silsesquioxane resin and a modifying agent, preferably selected from the group consisting of alkyl alkoxysilanes, fluorinated alkyl alkoxysilanes, and combinations thereof. The method further comprises curing film 14, wherein the inclusion of the modifying agent inhibits oxidation and/or water absorption by the film during and/or after curing. It is believed that the modifying agent modifies film surface 16 to produce this effect. Films produced according to the present invention apparently have repeatable dielectric properties for drying and curing conditions which produced widely varying properties for unmodified films.

대표청구항 ▼

A method of forming a thin film dielectric on a semiconductor substrate, said method comprising: (a) coating said substrate with a thin film of a modified HSQ film precursor, wherein said modified HSQ film precursor comprises a hydrogen silsesquioxane resin and a modifying agent selected from the group consisting of alkyl alkoxysilanes, fluorinated alkyl alkoxysilanes, and combinations thereof; and (b) curing said thin film at a temperature between 200°C. and 450°C.; whereby the inclusion of said modifying agent in said precursor at least partially inhibits oxidation and/or water absorption of said thin film.

이 특허를 인용한 특허 (12)

Balachandran, Manoj; Hagan, James A.; Kim, Ben; Persaud, Deoram; Ticknor, Adam D.; Tseng, Wei tsu, Detection and characterization of SiCOH-based dielectric materials during device fabrication.
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Ngo Minh V. ; Tran Khanh Q. ; You Lu ; Yang Jean Y. ; Huang Richard J., HSQ processing for reduced dielectric constant.
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Dirk Tobben ; Peter Weigand ; Matthias Ilg, Integrated circuits and manufacturing methods.
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Dawn M. Hopper ; Richard J. Huang ; Lu You, Method for improving the dielectric constant of silicon-based semiconductor materials.
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Guarionex Morales, Method of degassing low k dielectric for metal deposition.
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Nam, Kyung-Gu; Choi, Ki-Deog; Park, Jong-Sung; Son, Seon-Mo; Lee, Bong-Keun; Min, Kyung-Jip, Microcellular foam of thermoplastic resin prepared with die having improved cooling property and method for preparing the same.
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Chen, Yu-Hui; Bao, Tien-I; Cheng, Yao-Yi, Minimizing coating defects in low dielectric constant films.
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Kang, Jung-Won; Ko, Min-Jin; Shin, Dong-Seok; Kang, Gwi-Gwon; Moon, Myung-Sun; Nam, Hye-Yeong; Choi, Bum-Gyu; Kim, Young-Duk; Kim, Byung-Ro; Kwon, Won-Jong; Park, Sang-Min, Organic silicate polymer and insulation film comprising the same.
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Matsuura Masazumi,JPX, Semiconductor device and manufacturing method thereof.
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Matsuura Masazumi,JPX, Semiconductor device organic insulator film.
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Spikes Thomas E. ; Hause Fred N. ; Kadosh Daniel, Semiconductor fabrication employing a flowable oxide to enhance planarization in a shallow trench isolation process.
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Leung Roger Y. ; Nakano Tadashi, Stable inorganic polymers.
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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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