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Process for producing various gases for semiconductor production factories 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C01B-021/00
출원번호 US-0351476 (1995-02-09)
우선권정보 JP-0096200 (1993-04-22)
국제출원번호 PCT/JP94/00676 (1994-04-22)
§371/§102 date 19950209 (19950209)
국제공개번호 WO-9424501 (1994-10-27)
발명자 / 주소
  • Hata Yuichi (Tokyo JPX) Sasaki Jun (Kanagawa JPX) Kawamura Mamoru (Mie JPX) Nakamura Maki (Kanagawa JPX) Taki Kazuya (Kanagawa JPX) Okada Shuichi (Kanagawa JPX)
출원인 / 주소
  • Nippon Sanso Corporation (Tokyo JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 10  인용 특허 : 0

초록

Disclosed is a production process and apparatus of high-purity air and various air material gases for semiconductor production factories that, together with enabling the production of high-purity air, also enables the production high-purity nitrogen simultaneous to the production of oxygen-rich air

대표청구항

A process for producing gases for semiconductor production factories comprising: introducing feed air compressed to a pressure of 3-10 kg/cm2G into a catalyst tower to convert carbon monoxide, hydrocarbons and hydrogen in said feed air into carbon dioxide and water by catalytic reaction; cooling the

이 특허를 인용한 특허 (10)

  1. Miyazaki,Kunihiro; Nadahara,Soichi; Usuda,Kinya; Akahori,Masaji; Nakagawa,Sota; Nakajima,Ken, Material supply system in semiconductor device manufacturing plant.
  2. Dubettier-Grenier, Richard; Tranier, Jean-Pierre, Method and integrated device for separating air and heating an air gas originating from an air separation device.
  3. Tanabe, Yoshikazu; Nagahama, Toshiaki; Natsuaki, Nobuyoshi; Nakatsuka, Yasuhiko, Process for manufacturing semiconductor integrated circuit device including treatment of gas used in the process.
  4. Tanabe, Yoshikazu; Nagahama, Toshiaki; Natsuaki, Nobuyoshi; Nakatsuka, Yasuhiko, Process for manufacturing semiconductor integrated circuit device including treatment of gas used in the process.
  5. Tanabe, Yoshikazu; Nagahama, Toshiaki; Natsuaki, Nobuyoshi; Nakatsuka, Yasuhiko, Process for manufacturing semiconductor integrated circuit device including treatment of gas used in the process.
  6. Moore, Sanders H.; Pickering, James F.; Burger, Carey O., Process of removing carbon dioxide from a chlor/alkali plant tail gas stream.
  7. Lavin John Terence,GBX, Production of cryogenic liquid mixtures.
  8. Saxena, Himanshu; Ackley, Mark William; Billingham, John Fredric; Barrett, Philip Alexander, Production of high purity and ultra-high purity gas.
  9. Golden, Timothy Christopher; Hufton, Jeffrey Raymond; Kalbassi, Mohammad Ali; Lau, Garret C.; Waweru, Christine; Raiswell, Christopher James; Suggitt, Christopher; Zwilling, Daniel Patrick, Removal of hydrogen and carbon monoxide impurities from gas streams.
  10. Gulian, Franklin J., Thermal integration of a catalytic burner and a carbon dioxide removal unit.
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