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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0594455 (1996-01-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 65 인용 특허 : 0 |
A high-Q monolithic inductor structure formed using conventional silicon technology and having a first complete lower inductor spiral formed on a substrate and a second complete upper formed on a insulating layer over the first inductor spiral. Central portions of the inductor spirals are connected
A high-Q monolithic inductor structure for microwave applications fabricated using conventional silicon integrated circuit technology, comprising: a first inductor spiral formed on a substrate; an insulating layer formed over the first inductor spiral; a second inductor spiral formed on the insulati
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