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Method of making a TFT with reduced channel length for LCDs 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/265
출원번호 US-0610053 (1996-02-29)
발명자 / 주소
  • den Boer Willem (Troy MI) Gu Tieer (Troy MI)
출원인 / 주소
  • OIS Optical Imaging Systems, Inc. (Northville MI 02)
인용정보 피인용 횟수 : 23  인용 특허 : 0

초록

A liquid crystal display including an array of thin film transistors. Each thin film device in the array includes gate, source and drain electrodes. At least one of the source and drain electrodes include first and second metal layers offset with respect to one another so as to reduce the channel le

대표청구항

A method of making a thin film transistor comprising the steps of: a) depositing a gate electrode on a substrate; b) depositing a semiconductor layer over said gate electrode; c) depositing a first source-drain metal layer over said semiconductor layer; d) patterning said first source-drain metal la

이 특허를 인용한 특허 (23)

  1. Yoo, Juhn-Suk; Park, Jae-Yong, Active matrix type organic light emitting diode device and thin film transistor thereof.
  2. Sarma, Kalluri R.; Chanley, Charles S., Amorphous silicon thin-film transistors and methods of making the same.
  3. Liu Jianqiang ; Wei Ching-Yeu ; Kwasnick Robert Forrest, Corrosion resistant imager.
  4. Gu, Tieer; den Boer, Willem, LCD with increased pixel opening sizes.
  5. Gu, Tieer; den Boer, Willem, LCD with increased pixel opening sizes.
  6. Jang, Yong Ho; Cho, Nam Wook; Chun, Min Doo, Liquid crystal display device and method for fabricating the same.
  7. Watanabe Takahiko,JPX ; Sukegawa Osamu,JPX, Method for manufacturing thin film transistor array substrate.
  8. Kido, Shusaku, Method of deforming a pattern and semiconductor device formed by utilizing deformed pattern.
  9. Yoon Jung-Kee,KRX, Method of fabricating self-aligned thin film transistor using laser irradiation.
  10. Seiki Masahiro,JPX ; Kubo Akira,JPX, Method of manufacturing thin-film transistors.
  11. Lyu Chun-Gi,KRX ; Hong Mun-Pyo,KRX ; Kim Sang-Gab,KRX, Methods of manufacturing thin film transistors and liquid crystal displays by plasma treatment of undoped amorphous silicon.
  12. Watanabe, Masahiro; Mashiyama, Mitsuo; Handa, Takuya; Okazaki, Kenichi; Yamazaki, Shunpei, Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer.
  13. Akimoto, Kengo; Sakata, Junichiro; Yamazaki, Shunpei, Semiconductor device and manufacturing method for the same.
  14. Akimoto, Kengo; Sakata, Junichiro; Yamazaki, Shunpei, Semiconductor device and manufacturing method for the same.
  15. Akimoto, Kengo; Sakata, Junichiro; Yamazaki, Shunpei, Semiconductor device and manufacturing method for the same.
  16. Akimoto, Kengo; Sakata, Junichiro; Yamazaki, Shunpei, Semiconductor device and manufacturing method for the same.
  17. Yamazaki, Shunpei; Takayama, Toru; Sato, Keiji, Sputtering target and manufacturing method thereof, and transistor.
  18. Yamazaki, Shunpei; Takayama, Toru; Sato, Keiji, Sputtering target and manufacturing method thereof, and transistor.
  19. Yamazaki, Shunpei; Takayama, Toru; Sato, Keiji, Sputtering target and manufacturing method thereof, and transistor.
  20. den Boer Willem ; Zhong John Z. Z. ; Gu Tieer, TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines.
  21. Miyairi, Hidekazu, Thin film transistor.
  22. Jeong, Jong-Han; Ahn, Tae-Kyung; Jeong, Jae-Kyeong; Park, Jin-Sung; Lee, Hun-Jung; Shin, Hyun-Soo; Mo, Yeon-Gon, Thin film transistor having an oxide semiconductor bilayer, method of manufacturing the same and flat panel display device having the same.
  23. Nakano,Fumiki; Kawachi,Genshiro; Nakazaki,Yoshiaki; Tsuboi,Shinzo; Endo,Takahiko; Kato,Tomoya, Thin-film transistor formed on insulating substrate.
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