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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0652328 (1996-05-22) |
발명자 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 96 인용 특허 : 0 |
A light emitting diode comprises a multiple quantum well structure. The light emitting diode has a first conductivity type GaAs substrate, an AlGaInP lower cladding layer of the first conductivity type, a multiple quantum well structure, an AlGaInP upper cladding layer of a second conductivity type,
A light emitting diode comprising: a semiconductor substrate GaAs of a first conductivity type, said substrate having a top side and a bottom side; a first electrode formed on said bottom side of said substrate; a lower cladding AlGaInP layer of said first conductivity type being grown on said top s
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