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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0424024 (1995-04-18) |
우선권정보 | JP-0106132 (1994-04-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 5 |
A quantum memory has memory cells, each of the memory cells includes three-stage quantum dots stacked in sequence. A memory cell array is constructed by two-dimensionally arranging the memory cells. The quantum dots are made of heterojunctions of compound semiconductors. Writing and reading to and f
A quantum memory, comprising: a plurality of memory cells; each of said memory cells comprising a first quantum box, a second quantum box and a third quantum box which are stacked in sequence; and said first quantum box and said second quantum box being coupled by a coupling strength different from
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