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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0470811 (1995-06-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 22 인용 특허 : 0 |
A submicron emitter heterojunction bipolar transistor and a method for fabricating the same is disclosed. The fabrication process includes lattice matched growth of subcollector, collector, base, emitter, and emitter cap layers in sequential order on a semi-insulating semiconductor substrate. An emi
A method for forming emitter, base and collector contacts to a heterojunction bipolar transistor which includes, in sequence, subcollector, collector, base, emitter and emitter cap layers, comprising: forming a first overhang on said emitter cap layer that overhangs said emitter layer, forming a sec
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