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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0291422 (1994-08-16) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 44 인용 특허 : 0 |
In an antifuse and metal interconnect structure in an integrated circuit a substrate has an insulating layer disposed on an upper surface, a first multilayer metal interconnect layer disposed on the insulating layer, and having a first portion forming a lower antifuse electrode and a second portion
An antifuse and metal interconnect structure in an integrated circuit comprising: a substrate having an insulating layer disposed on an upper surface thereof; a first multilayer metal interconnect layer disposed on said insulating layer and having a first portion forming a lower antifuse electrode a
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