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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0451209 (1995-05-26) |
우선권정보 | JP-0207792 (1989-08-14); JP-0302120 (1989-11-22); JP-0302122 (1989-11-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 20 인용 특허 : 0 |
The present invention concerns an active-matrix addressed TFT substrate using a thin film transistor, a manufacturing method and an anodic oxidation method thereof, a liquid crystal display panel using the TFT substrate and a liquid crystal display equipment using the liquid crystal display panel. C
A method of manufacturing a thin film transistor substrate, comprising a first step of forming (1) an electrode of a thin film capacitor and (2) a gate bus-line pattern having a gate electrode of a thin film transistor and a gate bus-line to be connected with said gate electrode and a gate terminal,
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