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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0631239 (1996-04-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 53 인용 특허 : 19 |
The present invention relates to semiconductor devices comprising as one of their structural components diamond-like carbon as an insulator for spacing apart one or more levels of a conductor on an integrated circuit chip. The present invention also relates to a method for forming an integrated stru
A method for forming patterns in SiO2 comprising the steps of: selecting a substrate having an upper surface; forming a layer of diamond-like carbon material over said upper surface of said substrate; forming a layer of SiO2 over said material; forming a patterned layer over said SiO2 layer; introdu
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