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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0581590 (1996-01-17) |
우선권정보 | DE-4323821 (1993-07-15) |
국제출원번호 | PCT/DE94/00785 (1994-07-08) |
§371/§102 date | 19960116 (19960116) |
국제공개번호 | WO-9502904 (1995-01-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 33 인용 특허 : 3 |
A novel pyrodetector element is produced by oriented growth, with the aid of buffer layers, above a monocrystalline silicon substrate and thus enables the fabrication of an array of pyrodetectors having read-out and amplifier circuitry integrated on the common substrate. Proposed as the buffer layer
A pyrodetector element of thin-film construction, comprising: a) a monocrystalline silicon substrate, b) an epitaxial layer which is applied above the silicon substrate, c) a first electrode layer, d) a c-axis-oriented pyroelectric layer of a perovskite, and e) a second electrode layer, wherein said
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