최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0357648 (1994-12-16) |
우선권정보 | JP-0319904 (1993-12-20); JP-0063230 (1994-03-31); JP-0090356 (1994-04-27); JP-0139151 (1994-06-21) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 150 인용 특허 : 0 |
Into an amorphous silicon film, catalyst elements for accelerating the crystallization are introduced. After patterning the amorphous silicon films in which the catalyst elements have been introduced into an island pattern, a heat treatment for the crystallization is conducted. Thus, the introduced
A method for fabricating a semiconductor device, comprising the steps of: (a) forming an amorphous silicon film on a substrate having an insulating surface in such a manner that the amorphous silicon film is patterned so as to form at least one island region and a catalyst element is selectively int
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.