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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0702372 (1996-08-23) |
우선권정보 | KR-0062051 (1995-12-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 0 |
An improved sense amplifier output control circuit of a semiconductor memory device increases the operational speed and reduces possible noise. A sense amplifier senses a data read from a memory cell in accordance with a sense enable signal applied thereto. A Schmitt trigger circuit outputs the same
A sense amplifier output control circuit for a semiconductor memory device, comprising: a sense amplifier for sensing a data read from a memory cell in accordance with a sense enable signal applied thereto and producing a data signal and an inverted data signal thereof; a Schmitt trigger circuit cou
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