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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0735060 (1996-10-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 36 인용 특허 : 0 |
An improved antifuse design has been achieved by providing a structure comprising pair of alternating layers of silicon nitride and amorphous silicon sandwiched between two dual damascene connectors. Said structure provides the advantage, over the prior art, that all electrically active surfaces of
[ What is claimed is:] [1.] An antifuse structure comprising:a first conductive layer;a first insulating layer, having an upper and a lower surface, said lower surface being in contact with said first conductive layer;a first dual damascene connector in the first insulating layer extending from the
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