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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0636600 (1996-04-23) |
우선권정보 | KR-0009643 (1995-04-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 0 |
An internal voltage boosting circuit for a semiconductor memory device comprises first and second boosted voltage generators for boosting an internal voltage of said memory device. A voltage level detector is operative to detect the internal voltage. A first logic circuit is operatively connected to
[ I claim:] [1.] An internal voltage boosting circuit for a semiconductor device comprising:a master signal generator, said generator generating a master signal responsive to a row address strobe signal;a first controller, said first controller generating a first control signal in response to said m
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