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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0154347 (1993-11-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 77 인용 특허 : 0 |
A method for fabricating polycrystalline thin films on low-temperature (or high-temperature) substrates which uses processing temperatures that are low enough to avoid damage to the substrate, and then transiently heating select layers of the thin films with at least one pulse of a laser or other ho
[ We claim:] [1.] A method for fabricating polycrystalline thin films including the steps of:forming a film of material on a substrate in a time period such that the temperature of the substrate is not raised above a temperature of about 450.degree. C. for a time period greater than about 100 .mu.s;
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