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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0693562 (1996-08-07) |
우선권정보 | JP-0170472 (1994-06-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 19 인용 특허 : 6 |
With forming an element isolation oxide layer on p-well in a thickness of 3500 .ANG., n-type MOS transistor with a gate electrode and source and drain regions are fabricated. Thereafter, an oxide layer is deposited by an atmospheric pressure chemical vapor deposition. Subsequently, with taking TEOS
[ What is claimed is:] [1.] A fabrication process of a semiconductor device comprising the steps of:forming an insulation layer primarily of silicon oxide by way of low pressure chemical vapor deposition method using an organic type gas as a source gas; andperforming a heat treatment at a temperatur
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