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특허 상세정보

Leakage gas detector for semiconductor device and leakage gas detecting method using the same

국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) G01M-003/18    G01N-031/08   
미국특허분류(USC) 73/040.7 ; 73/040.5R ; 73/049.3 ; 73/049.1
출원번호 US-0739729 (1996-11-07)
우선권정보 KR-0040266 (1995-11-08)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Jones & Volentine, L.L.P.
인용정보 피인용 횟수 : 7  인용 특허 : 6
초록

A leakage gas detector for a semiconductor device includes a plurality of inflow apertures into which leakage gas flows. A detector sequentially detects the leakage gas in each of the inflow apertures via a plurality of valves, so as to leak test each of the plurality of inflow apertures for presence of possible leakage gas. Each of the plurality of valves are connected to corresponding of the plurality of inflow apertures to control the suction of the leakage gas into the detector. A controller selectively opens and closes each of the plurality of valve...

대표
청구항

[ What is claimed is:] [1.] A leakage gas detector for a semiconductor device comprising:a plurality of inflow apertures into which a leakage gas may flow;a detector for detecting the leakage gas, if any, transferred thereto via each inflow aperture;a pump disposed downstream of said inflow apertures for drawing any of said leakage gas towards and through said detector by applying a suction pressure to any of said leakage gas emanating from said semiconductor device;a plurality of valves, each connected to corresponding ones of said plurality of inflow a...