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Semiconductor fabricating apparatus, method for controlling oxygen concentration within load-lock chamber and method fo 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C23C-016/00
출원번호 US-0648541 (1996-05-16)
우선권정보 JP-0118271 (1996-04-16)
발명자 / 주소
  • Shimada Masakazu,JPX
출원인 / 주소
  • Kokusai Electric Co., Ltd., JPX
대리인 / 주소
    Graham & James LLP
인용정보 피인용 횟수 : 20  인용 특허 : 11

초록

A semiconductor fabricating apparatus comprises a reaction tube defining a space for heat treating a silicon wafer, heater means disposed to extend around the reaction tube, a load-lock chamber connected to the reaction tube by means of a gate valve, a supply pipe communicating with the load-lock ch

대표청구항

[ What is claimed are:] [1.] A semiconductor fabricating apparatus comprising:a reaction tube defining a space for heat treating a silicon wafer;heater means disposed to extend around said reaction tube;a load-lock chamber connected to said reaction tube by means of a gate valve;a supply pipe for su

이 특허에 인용된 특허 (11)

  1. Goldman Jon C. (Orange CA) Rappaport Robert E. (Westminster CA), Gas control system for chemical vapor deposition system.
  2. Shiraiwa Hirotsugu (Hino JPX), Heat treatment apparatus.
  3. Iwabuchi Katsuhiko (Tokyo JPX) Suzuki Takeo (Kitakyushu JPX) Tozawa Takashi (Tokyo JPX) Kagatsume Satoshi (Tokyo JPX) Shiraiwa Hirotsugu (Tokyo JPX), Heat-treatment apparatus.
  4. Iwabuchi Katsuhiko (Sagamihara JPX), Processing apparatus.
  5. Saito Masaki (Kanagawa JPX), Thermal treatment apparatus, semiconductor device fabrication apparatus, load-lock chamber.
  6. Ushikawa Harunori (Kofu JPX), Treating device.
  7. Iwai Hiroyuki (Sagamihara JPX) Tanifuji Tamotsu (Yamato JPX) Asano Takanobu (Yokohama JPX) Okura Ryoichi (Kanagawa-ken JPX), Treatment apparatus.
  8. Ono Yuji (Sagamihara JPX) Mihara Katsuhiko (Hachioji JPX), Treatment system including a plurality of treatment apparatus.
  9. Tanahashi Takashi (Sagamihara JPX), Vertical heat treatment apparatus with a circulation gas passage.
  10. Takanabe Eiichiro (Sagamihara JPX) Suzuki Takeo (Iruma JPX) Noguchi Tadataka (Kitakyushu JPX), Vertical heat-treating apparatus and heat-treating process by using the vertical heat-treating apparatus.
  11. Takanabe Eiichiro (Kanagawa JPX), Wafers transferring method in vertical type heat treatment apparatus and the vertical type heat treatment apparatus prov.

이 특허를 인용한 특허 (20)

  1. Horie Yasuhiko,JPX, Apparatus and method for manufacturing semiconductor device.
  2. Nagashima, Shinji; Miyamoto, Hiroyuki; Ogawa, Shizuo; Koga, Shinji, Apparatus for forming coating film and apparatus for curing the coating film.
  3. Yang, Il-Kwang; Je, Sung-Tae; Song, Byoung-Gyu; Kim, Yong-Ki; Kim, Kyong-Hun; Shin, Yang-Sik, Apparatus for processing substrate for supplying reaction gas having phase difference.
  4. Takahara, Masahiro; Ueda, Toshihito, Inactive gas introducing facility and inactive gas introducing method.
  5. Carlson, David K; Comita, Paul B.; Riley, Norma B.; Du Bois, Dale R., Method and a system for sealing an epitaxial silicon layer on a substrate.
  6. Kobayashi, Norihiro; Akiyama, Shoji; Tamatsuka, Masaro; Shinomiya, Masaru; Matsumoto, Yuichi, Method for manufacturing silicon wafer.
  7. White John M. ; Blonigan Wendell T. ; Richter Michael W., Method of controlling gas flow in a substrate processing system.
  8. Liu,Yung Nan; Tsou,Cheng Kuo; Lee,Yuh Ju; Hsieh,Ching Cheng, Method of estimating thickness of oxide layer.
  9. Glenn A. Roberson, Jr. ; Robert M. Genco ; Robert B. Eglinton ; Wayland Comer ; Gregory K. Mundt, Molecular contamination control system.
  10. Roberson ; Jr. Glenn A. ; Genco Robert M. ; Eglinton Robert B. ; Comer Wayland ; Mundt Gregory K., Molecular contamination control system.
  11. Roberson ; Jr. Glenn A. ; Genco Robert M. ; Eglinton Robert B. ; Comer Wayland ; Mundt Gregory K., Molecular contamination control system.
  12. Roberson ; Jr. Glenn A. ; Genco Robert M. ; Eglinton Robert B. ; Comer Wayland ; Mundt Gregory K., Molecular contamination control system.
  13. Kaoru Katayama JP; Hiroshi Fukuda JP; Shinichi Kazui JP; Toshihiko Ohta JP; Yasuhiro Iwata JP; Mitsugu Shirai JP; Mitsunori Tamura JP, Process for manufacturing electronic circuits.
  14. Katayama Kaoru,JPX ; Fukuda Hiroshi,JPX ; Kazui Shinichi,JPX ; Ohta Toshihiko,JPX ; Iwata Yasuhiro,JPX ; Shirai Mitsugu,JPX ; Tamura Mitsunori,JPX, Process for manufacturing electronic circuits.
  15. Katayama Kaoru,JPX ; Fukuda Hiroshi,JPX ; Kazui Shinichi,JPX ; Ohta Toshihiko,JPX ; Iwata Yasuhiro,JPX ; Shirai Mitsugu,JPX ; Tamura Mitsunori,JPX, Process for manufacturing electronic circuits.
  16. Katayama Kaoru,JPX ; Fukuda Hiroshi,JPX ; Kazui Shinichi,JPX ; Ohta Toshihiko,JPX ; Iwata Yasuhiro,JPX ; Shirai Mitsugu,JPX ; Tamura Mitsunori,JPX, Process for manufacturing electronic circuits.
  17. Wu,Han Ming; Kuse,Ronald J., Purging gas from a photolithography enclosure between a mask protective device and a patterned mask.
  18. Katayama, Kyoshige; Yoshimura, Yuta; Tamura, Takeshi, Substrate processing apparatus.
  19. Yonemizu, Akira; Kojima, Shigeyoshi, Substrate processing apparatus and substrate processing method.
  20. Yang, Il-Kwang; Je, Sung-Tae; Song, Byoung-Gyu; Kim, Yong-Ki; Kim, Kyong-Hun; Shin, Yang-Sik, Substrate processing apparatus including auxiliary gas supply port.
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