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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0579277 (1995-12-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 24 인용 특허 : 7 |
A method for producing crystals of silicon carbide in a furnace. The furnace has a crucible with a cavity in which the cavity has first and second spaced-apart regions. The crucible cavity of the furnace is capable of being heated, preferably by induction or resistance heating, with insulation place
[ It is claimed:] [1.] A method for producing crystals of silicon carbide in a furnace, wherein the furnace has a crucible with a cavity therein, means for heating the crucible cavity, and first and second spaced-apart regions of the crucible cavity, the method comprising the steps of:providing a so
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