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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0439459 (1995-05-11) |
우선권정보 | JP-0250026 (1989-09-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 0 |
A gas-feeding device for feeding a starting gas for forming a deposited film by the chemical vapor deposition method, comprising a storage area for an organometallic compound having a high viscosity, wherein the storage area has a space for discharging a starting gas containing the organometallic co
[ What is claimed is:] [1.] A gas-feeding device for feeding a starting gas used to form a deposited film by the chemical vapor deposition method, comprising:an organometallic compound stored in an organometallic compound storing means, wherein said organometallic compound comprises dimethyl aluminu
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