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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0562274 (1995-11-22) |
우선권정보 | JP-0319224 (1994-11-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 213 인용 특허 : 0 |
It is intended to provide a technique of separately forming thin-film transistors disposed in a peripheral circuit area and those disposed in a pixel area in accordance with characteristics required therefor in a manufacturing process of semiconductor devices to constitute a liquid crystal display d
[ What is claimed is:] [1.] A laser processing method of a semiconductor device having an amorphous silicon film formed on a substrate that is to finally constitute a liquid crystal display device, said method comprising:the first step of depositing a silicon oxide film on the amorphous silicon film
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