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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0787039 (1997-01-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 0 |
A process and structure for an improved collector-up bipolar transistor. The base is formed after the emitter is implanted to eliminate base damage during oxygen implantation typical in prior art collector-up bipolar transistors. In a preferred embodiment, an emitter layer of GaAlAs is implanted wit
[ What is claimed is:] [1.] A collector up transistor structure, comprising:(a) a semiconductor substrate;(b) an emitter contact layer on said substrate;(c) an emitter layer on said emitter contact layer having an intrinsic emitter and an extrinsic emitter wherein said extrinsic emitter is insulativ
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