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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0639325 (1996-04-25) |
우선권정보 | JP-0204527 (1995-08-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 51 인용 특허 : 3 |
A highly reliable semiconductor device having superior flatness and highly precise pattern is obtained. A first metal interconnection 7a is formed on a semiconductor substrate 1. An interlayer insulating film 8a is provided on semiconductor substrate 1 to cover the first metal interconnection 7a. A
[ What is claimed is:] [1.] A semiconductor device having multilayered metal interconnection structure, comprising:a semiconductor substrate;a first metal interconnection provided on said semiconductor substrate;an interlayer insulating film formed on said semiconductor substrate to cover said first
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