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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0670242 (1996-06-17) |
우선권정보 | JP-0008727 (1994-01-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 104 인용 특허 : 0 |
A gallium nitride-based III-V Group compound semiconductor device has a gallium nitride-based III-V Group compound semiconductor layer provided over a substrate and an ohmic electrode provided in contact with the semiconductor layer. The ohmic electrode is formed of a metallic material, and has been
[ What is claimed is:] [1.] A gallium nitride-based III-V group compound semiconductor device, comprising:a substrate having first and second major surfaces;a semiconductor stacked structure arranged over said first major surface of the substrate, and comprising an n-type gallium nitride-based III-V
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