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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0670167 (1996-06-27) |
우선권정보 | KR-0018864 (1995-06-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 45 인용 특허 : 7 |
A semiconductor device and a method for fabricating the same, wherein a thick side wall oxide film or polysilicon film is formed on the edge portion of the second silicon substrate. At the side wall of the oxide film or polysilicon film, the thickness of an active semiconductor substrate at its edge
[ What is claimed is:] [1.] A method for fabricating a semiconductor device having a silicon-on-insulator structure, comprising the steps of:depositing a first silicon oxide film over a first silicon substrate and then depositing a silicon substrate layer over the first silicon oxide film;patterning
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