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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0832351 (1997-04-02) |
우선권정보 | JP-0314987 (1994-12-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 8 |
A semiconductor memory and device comprising a plurality of N-channel and P-channel transistor regions, a first and a second field shield region, and an oxide isolation region. The first field shield region is disposed so as to isolate the N-channel transistor regions from one another, and the secon
[ What is claimed is:] [1.] A semiconductor memory formed on an SOI substrate, comprising:a plurality of N-channel transistor regions each having an N-channel MOS transistor formed therein;a plurality of P-channel transistor regions each having a P-channel MOS transistor formed therein;a first field
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