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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0763573 (1996-12-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 7 |
In the formation of shallow depth junctions, atoms of inner elements, such as helium, argon, xenon or krypton are implanted at a chosen energy and concentration to create microvoids in the epitaxial layer at a chosen depth. Then, upon implantation of boron ions, the implantation of which creates int
[ We claim:] [1.] A method of fabricating a source/drain of a semiconductor device comprising:providing a crystalline silicon body;implanting into the silicon body atoms of inert gas, so as to create voids in the silicon body at a chosen depth;implanting boron ions in the silicon body, and creating
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