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Method of fabricating metal line structure 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/29
출원번호 US-6345310 (1996-04-18)
우선권정보 JP-0056308 (1995-12-26)
발명자 / 주소
  • Kim Do Heyoung,KRX
출원인 / 주소
  • LG Semicon Co., Ltd., KRX
대리인 / 주소
    Morgan, Lewis and Bockius LLP
인용정보 피인용 횟수 : 7  인용 특허 : 5

초록

A method of fabricating a metal line includes the steps of preparing a semiconductor substrate, depositing a first metal on the semiconductor substrate, heat-treating the first metal to form a first metal nitride layer, depositing a second metal on the first metal nitride layer, heat treating the se

대표청구항

[ What is claimed is:] [1.] A method of fabricating a metal line comprising the steps of:

이 특허에 인용된 특허 (5)

  1. Kim Jun K. (Seoul KRX) Lee Kyung I. (Seoul KRX), Method for forming a copper metal wiring with aluminum containing oxidation barrier.
  2. Yamamoto Tomohiko (Tenri JPX) Shimada Yasunori (Nara JPX) Morimoto Hiroshi (Kitakatsuragi JPX), Method for producing metal wirings on an insulating substrate.
  3. Iijima Tadashi (Yokohama JPX) Ono Hisako (Yokohama JPX) Ushiku Yukihiro (Yokohama JPX) Nishiyama Akira (Amsterdam NLX) Nakasa Naomi (Nagano-ken JPX), Method of diffusing a metal through a silver electrode to form a protective film on the surface of the electrode.
  4. Misawa Nobuhiro (Kawasaki JPX), Process for fabricating integrated circuit devices.
  5. Li Jian (Ithaca NY) Mayer James W. (Phoenix AZ) Colgan Evan G. (Suffern NY) Gambino Jeffrey P. (Gaylordsville CT), Self-aligned process for capping copper lines.

이 특허를 인용한 특허 (7)

  1. Charneski Lawrence J. ; Nguyen Tue, Copper adhered to a diffusion barrier surface.
  2. Ding, Peijun; Xu, Zheng; Zhang, Hong; Tang, Xianmin; Gopalraja, Praburam; Rengarajan, Suraj; Forster, John C.; Fu, Jianming; Chiang, Tony; Yao, Gongda; Chen, Fusen E.; Chin, Barry L.; Kohara, Gene Y., Metal / metal nitride barrier layer for semiconductor device applications.
  3. Ding,Peijun; Xu,Zheng; Zhang,Hong; Tang,Xianmin; Gopalraja,Praburam; Rengarajan,Suraj; Forster,John C.; Fu,Jianming; Chiang,Tony; Yao,Gongda; Chen,Fusen E.; Chin,Barry L.; Kohara,Gene Y., Method of depositing a tantalum nitride/tantalum diffusion barrier layer system.
  4. Chen Sheng-Hsiung,TWX, Method of improving copper pad adhesion.
  5. Chen,Sheng Hsiung, Method of improving copper pad adhesion.
  6. Sheng-Hsiung Chen TW; Fan Keng Yang TW, Method of improving pad metal adhesion.
  7. Ding, Peijun; Chiang, Tony; Chin, Barry L., Tailored barrier layer which provides improved copper interconnect electromigration resistance.
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