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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0765792 (1997-01-15) |
우선권정보 | GB-0014444 (1994-07-18) |
국제출원번호 | PCT/GB95/016 (1995-07-17) |
§371/§102 date | 19970115 (19970115) |
국제공개번호 | WO-9602685 (1996-02-01) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 0 |
A method for producing hollow diamond tubes by diamond growth using chemical vapor deposition (CVD) techniques. Suitable substrate material, such as tungsten, molybdenum, copper or silicon, typically in the form of wire, having diamond nucleation sites is formed into a helix. The helix is then place
[ I claim:] [1.] A method of diamond coating an elongate substrate material to form a hollow diamond tube, having a surface pretreated to establish diamond nucleation sites, comprising the steps of:(i) on a former winding the elongate material into substantially a helical geometry wherein the pitch
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