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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0457388 (1995-05-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 35 인용 특허 : 23 |
A method of forming devices having textured and highly oriented diamond layers includes the steps of forming a plurality of diamond nucleation sites on a substrate and then growing diamond on the sites so merge and form a continuous diamond layer having {100} and {111} facets. The growing step is pe
[ That which is claimed is:] [10.] A method of forming a diamond layer on a semiconductor substrate, comprising the steps of:forming a first diamond layer, having {100} and {111} facets at an exposed face thereof, by growing diamond on the substrate using first growth parameters which favor growth o
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