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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0658188 (1996-06-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 43 인용 특허 : 0 |
A radiation-hard, low-power semiconductor device of the complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) type which is fabricated with a sub-micron feature size on a silicon-on-insulator (SOI) substrate (12). The SOI substrate may be of several different types. The sub-micron CMOS SOI device has both
[ What is claimed is:] [1.] A method for fabricating a silicon-on-insulator (SOI) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device which has low power consumption and is radiation-hard, said method comprising steps in sequence of:a) providing an SOI processing wafer having a bulk silicon body,
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