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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0689834 (1996-08-14) |
우선권정보 | JP-0217191 (1995-08-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 28 인용 특허 : 0 |
The cutoff process of a collector current of an insulated gate transistor is divided into an emitter-to-collector voltage recovery period and a collector current cutoff period. During the emitter-to-collector voltage recovery period the resistance of a gate resistor of the transistor is reduced, and
[ What is claimed is:] [1.] An insulated gate transistor drive circuit comprising:operation-state detecting means including:a sensor for detecting a collector current of an insulated gate transistor and producing a first output signal indicative of the collector current;a differentiating circuit cou
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