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특허 상세정보

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Schottky barrier infrared sensor

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-031/00    H01L-027/295    H01L-029/812    H01L-031/07   
미국특허분류(USC) 257/449 ; 257/450 ; 257/475
출원번호 US-0916158 (1997-09-02)
우선권정보 JP-0175956 (1994-07-05)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Sughrue, Mion, Zinn, Macpeak & Seas, PLLC
인용정보 피인용 횟수 : 5  인용 특허 : 0
초록
▼

A solid-state infrared sensor using a Schottky barrier diode. The sensor has a first layer of a semiconductor of a first conductivity type and a second layer of a metal or a metal silicide and the first and second layer are joined to each other to form the Schottky barrier diode. Further, the sensor includes a third layer disposed in the depletion layer formed in the first layer out of contact with the Schottky junction interface. The third layer contains an impurity which is introduced for positioning an effective barrier formed in the depletion layer u...

대표
청구항
▼

[ What is claimed is:] [1.] A Schottky barrier infrared sensor comprising:a first layer of a first conductivity type;a second layer of one of metal and metal silicide;a guard ring layer of a second conductivity type embedded in said first layer to a predetermined depth and encircling said second layer, said first layer and said second layer being joined to each other at a junction interface for detecting incident infrared radiation,wherein the detecting of the incident infrared radiation is based on the amount of excessive carriers generated in said firs...

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 5

  1. Glen Hush ; Dean Wilkinson ; Zhong-Yi Xia. Cathode emitter devices, field emission display devices, and methods of detecting infrared light. USP2002086441542.
  2. Furio, Cyril. Contact on a P-type region. USP2003106633071.
  3. Stapelbroek,Maryn G.; Hogue,Henry H.; D'Souza,Arvind I.. Near-infrared visible light photon counter. USP2007047202511.
  4. Yeh, Ping-Chun; Yeh, Der-Chyang; Liu, Ruey-Hsin; Liu, Mingo. Schottky device. USP2012128338906.
  5. Yu, Young-June; Wober, Munib. Vertical pillar structured infrared detector and fabrication method for the same. USP2016109478685.

IPC 상위 출원인