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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0916158 (1997-09-02) |
우선권정보 | JP-0175956 (1994-07-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 0 |
A solid-state infrared sensor using a Schottky barrier diode. The sensor has a first layer of a semiconductor of a first conductivity type and a second layer of a metal or a metal silicide and the first and second layer are joined to each other to form the Schottky barrier diode. Further, the sensor
[ What is claimed is:] [1.] A Schottky barrier infrared sensor comprising:a first layer of a first conductivity type;a second layer of one of metal and metal silicide;a guard ring layer of a second conductivity type embedded in said first layer to a predetermined depth and encircling said second lay
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