[특허]Dynamic semiconductor memory device having a precharge circuit using low power consumption

Dynamic semiconductor memory device having a precharge circuit using low power consumption 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	G11C-007/00 G11C-011/24 G11C-008/00
출원번호	US-0919240 (1997-08-28)
우선권정보	JP-0308104 (1996-11-19)
발명자 / 주소	Tsuchida Kenji,JPX
출원인 / 주소	Kabushiki Kaisha Toshiba, JPX
대리인 / 주소	Banner & Witcoff, Ltd.
인용정보	피인용 횟수 : 24 인용 특허 : 0

초록 ▼

There is provided a DRAM using a low electric power consumption characteristic of a VCC/2 precharging method and capable of performing stable and high speed sensing operation even under a low power supply voltage condition. The DRAM has a memory cell array, a plurality of word lines, a plurality of bit line pairs, sense amplifiers disposed to correspond to the bit line pairs, a first precharge circuit for precharging the bit line pairs in the first group of two groups obtained by dividing the plural bit line pairs to a first precharge potential between 1/2 of power supply voltage Vcc and the ground potential, a second precharge circuit for precharging the bit line pairs in the second group to a second precharge potential which is higher than Vcc/2 by a degree corresponding to the difference between Vcc/2 and the first precharge potential and a precharge control circuit for causing the first and second precharge circuits to sequentially perform corresponding precharge operations with the time difference.

대표청구항 ▼

[ I claim:] [1.] A dynamic semiconductor memory device comprising:a memory cell array having a plurality of dynamic memory cells disposed in a matrix configuration;a plurality of word lines for selecting and operating said memory cells of said memory cell array;a plurality of bit line pairs for supplying/receiving data to and from selected memory cells of said memory cell array, bit lines of said plurality of bit line pairs being divided into a first group and a second group;bit-line sense amplifiers disposed to correspond to said bit line pairs;a first precharge circuit disposed to correspond to said bit line pairs in said first group so as to precharge said bit line pairs in said first group to a first precharge potential between 1/2 of power supply voltage and ground potential;a second precharge circuit disposed to correspond to said bit line pairs in said second group so as to precharge said bit line pairs in said second group to a second precharge potential higher than 1/2 of the power supply voltage by a degree which is the difference between 1/2 of the power supply voltage and the first precharge potential; anda precharge control circuit for causing said first precharge circuit and said second precharge circuit to perform the corresponding precharge operations with a time difference.

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A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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