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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0746810 (1996-11-18) |
우선권정보 | FR-0013785 (1995-11-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 60 인용 특허 : 0 |
An optoelectronic quantum well device comprises a stack of layers that have different gap widths and constitute quantum wells possessing, in the conduction band, at least two permitted energy levels, this stack of layers being included between two reflection means. The device also comprises a diffra
[ What is claimed is:] [1.] An optoelectronic quantum well device comprising:a stack of semiconducting layers that have different bandgap energies and constitute quantum wells possessing, in the conduction band, at least two permitted energy levels capable of sustaining an inter-subband transition o
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