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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0770874 (1996-12-20) |
우선권정보 | DE-0048060 (1995-12-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 13 인용 특허 : 0 |
A temperature sensor contains a bipolar transistor adjacent a cell array of a power MOSFET or IGBT. In order to detect temperature independently of a voltage drop across the power semiconductor component, a zone of the same conduction type is disposed between the cell array and a base zone. That zon
[ we claim:] [1.] A field effect-controllable power semiconductor component assembly, comprising:a power semiconductor component including a semiconductor body, and a cell array with a multiplicity of cells connected in parallel with one another and having gate zones and a drain zone; anda temperatu
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