최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0715375 (1996-09-12) |
우선권정보 | JP-0182330 (1996-07-11) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
대리인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 3 |
It is an object of the present invention to obtain a resist pattern of a high dimensional accuracy. In order to accomplish this object, a pattern lithography method according to the present invention comprises the steps of: forming a resist film 2 on a substrate 1 to be processed; applying a hydrous
[ What is claimed is:] [1.] A pattern lithography method comprising the steps of:forming a resist film on a substrate;applying a hydrous polymer solution on the resist film, said hydrous polymer solution comprising at least one hydrous polymer;cross-linking said hydrous polymers in the hydrous polym
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.